智通财经APP得悉，TrendForce集邦咨询发文称，HBM产品已成为DRAM工业重视焦点，这使得Hybrid Bonding (混合键合)等先进封装技能发展备受瞩目。依据最新研讨，三大HBM原厂正在考虑是不是于HBM4 16hi选用Hybrid Bonding，并已确认将在HBM5 20hi代代中运用这项技能。集邦咨询指出，选用Hybrid Bonding或许会引起HBM的商业形式呈现改变。
与已遍及的运用的Micro Bump (微凸块)堆叠技能比较，Hybrid Bonding因为不装备凸块，可包容较多堆叠层数，也能包容较厚的晶粒厚度，以改进翘曲问题。运用Hybrid Bonding的芯片传输速度较快，散热作用也较好。
但是，选用Hybrid Bonding需面临多项应战。如原厂出资新设备导入新的堆叠技能，将排挤对Micro Bump的需求，也不再享有本来累积的技能优势。Hybrid Bonding尚有微粒操控等技能问题待战胜，将提高单位出资金额。此外，因为Hybrid Bonding需以Wafer to Wafer形式堆叠，若front end(前端)出产良率过低，全体出产良率将不具经济效益。
